Ảnh hưởng của trường bức xạ laser lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng

Ảnh hưởng của trường bức xạ Laser lên hấp

thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm

trong hố lượng tử (tán xạ điện tử - Phonon âm)

Đoàn Thị Thanh Ngần

Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

Khoa Vật lý

Luận văn Thạc sĩ ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Mã số: 60 44 01

Người hướng dẫn: PGS.TS. Nguyễn Vũ Nhân

Năm bảo vệ: 2011

Abstract. Giới thiệu về hố lượng tử và bài toán về hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện

tử trong bán dẫn khối khi có mặt sóng điện từ mạnh (Laser). Nghiên cứu về phương

trình động lượng tử và biểu thức giải tích của hệ số hấp thụ sóng điện yếu từ bởi

điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ Laser. Trình bày tính

toán số và vẽ đồ thị các kết quả lý thuyết cho hố lượng tử GaAs/ GaAsAl.

Keywords. Vật lý toán; Trường bức xạ laser; Sóng điện từ; Hố lượng tử; Tán xạ

điện tử

Content

MỞ ĐẦU

Lý do chọn đề tài

Sự mở rộng các nghiên cứu về hệ bán dẫn thấp chiều, trong đó có hệ hai chiều trong

thời gian gần đây đã đem lại nhiều ứng dụng to lớn trong đời sống, lôi cuốn sự tham gia

nghiên cứu của nhiều nhà khoa học trên khắp thế giới. Việc chuyển từ hệ ba chiều sang các

hệ thấp chiều đã làm thay đổi nhiều tính chất vật lý cả về định tính lẫn định lượng của vật

liệu, Trong số đó, có bài toán về sự ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên hấp thụ sóng điện

từ yếu trong các loại vật liệu.

Trong khi ở bán dẫn khối, các điện tử có thể chuyển động trong toàn mạng tinh thể

(cấu trúc 3 chiều) thì ở các hệ thấp chiều, chuyển động của điện tử sẽ bị giới hạn nghiêm ngặt

dọc theo một (hoặc hai, ba) hướng tọa độ nào đó. Phổ năng lượng của các hạt tải trở nên bị

gián đoạn theo phương này. Sự lượng tử hóa phổ năng lượng của hạt tải dẫn đến sự thay đổi