Nghiên cứu, chế tạo và tính chất quang của chấm lượng tử bán dẫn hợp chất ba nguyên tố I-III-VI2 (CuInS2)

BỘ GIÁO DỤC VÀ ÐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KH & CN VIỆT NAM

VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU

------------

NGUYỄN THỊ MINH THỦY

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG

CỦA CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN HỢP CHẤT

BA NGUYÊN TỐ I-III-VI2 (CuInS2)

LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU

HÀ NỘI - 2014

BỘ GIÁO DỤC VÀ ÐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KH & CN VIỆT NAM

VIỆN KHOA HỌC VẬT LIỆU

------------

NGUYỄN THỊ MINH THỦY

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG

CỦA CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN HỢP CHẤT

BA NGUYÊN TỐ I-III-VI2 (CuInS2)

Chuyên ngành: Vật liệu Quang học, Quang điện tử và Quang tử

Mã số: 62 44 50 05

LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU

NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC:

1. GS. TS. NGUYỄN QUANG LIÊM

2. PGS. TS. VŨ DOÃN MIÊN

HÀ NỘI- 2014

LỜI CÁM ƠN

Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc tới hai

người thầy hướng dẫn là GS. TS. Nguyễn Quang Liêm và PGS. TS. Vũ Doãn

Miên, những người thầy đã định hướng cho tôi trong tư duy khoa học, tận tình

chỉ bảo và tạo rất nhiều thuận lợi cho tôi trong suốt quá trình thực hiện luận án.

Tôi xin chân thành cảm ơn các cán bộ và nghiên cứu sinh phòng Vật liệu

Quang điện tử (TS. Trần Thị Kim Chi, TS. Ứng Thị Diệu Thúy, ThS Trần Thị

Thương Huyền, CN Lê Văn Long, TS Phạm Thị Thủy,…) - những người đã luôn

giúp đỡ, khích lệ, động viên tôi trong suốt thời gian làm luận án.

Tôi xin chân thành cảm ơn các cán bộ Phòng Thí nghiệm Trọng điểm Quốc

gia về vật liệu và linh kiện điện tử, Viện Khoa học vật liệu đã giúp tôi thực hiện

phép đo ảnh vi hình thái, phổ nhiễu xạ tia X và phổ tán xạ Raman….

Tôi xin trân trọng cảm ơn Bộ phận Đào tạo sau đại học, Viện Khoa học Vật

liệu, đã tạo điều kiện thuận lợi cho tôi làm luận án nghiên cứu sinh.

Tôi xin gửi lời cảm ơn tới các cán bộ, giảng viên, đặc biệt là Ban lãnh đạo

khoa Giáo dục THCS và Ban lãnh đạo Trường Đại học Sư phạm, Đại học Thái

Nguyên đã động viên, tạo điều kiện thuận lợi cho tôi để tôi thực hiện tốt luận án.

Tôi xin trân trọng cảm ơn Bộ Giáo dục và Đào tạo, Viện Khoa học vật liệu,

đã tạo điều kiện thuận lợi cho tôi làm luận án nghiên cứu sinh.

Nhân dịp này tôi xin dành những tình cảm sâu sắc nhất tới những người

thân trong gia đình: Mẹ, anh, chị, em đã chia sẻ những khó khăn, thông cảm và

động viên, hỗ trợ tôi.

Cuối cùng tôi xin dành những tình cảm đặc biệt và biết ơn của mình tới

chồng và các con, bằng tình yêu, sự cảm thông, quan tâm và chia sẻ, đã cho tôi

nghị lực, tạo động lực cho tôi thực hiện thành công luận án.

Hà Nội, ngày tháng năm 2014

Tác giả,

Nguyễn Thị Minh Thủy

Lời cam đoan

Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng

tôi dưới sự hướng dẫn của GS. TS. Nguyễn Quang Liêm và

PGS. TS. Vũ Doãn Miên. Các số liệu và kết quả trong luận án là

trung thực và chưa được ai công bố trong bất cứ công trình nào

khác.

Tác giả luận án

Nguyễn Thị Minh Thủy

MỤC LỤC

Danh mục các chữ viết tắt và ký hiệu

Danh mục các bảng

Danh mục các hình vẽ

MỞ ĐẦU 1

Chương 1: Tổng quan về vật liệu nanô và bán dẫn hợp chất I-III-VI2 cấu

trúc nanô

6

1.1. Một số hiệu ứng đặc biệt của vật liệu nanô 6

1.1.1. Hiệu ứng giam giữ lượng tử 6

1.1.2. Hiệu ứng bề mặt 10

1.2. Tính chất quang của vật liệu bán dẫn cấu trúc nanô 12

1.2.1. Tính chất hấp thụ 13

1.2.2. Tính chất phát quang 16

1.2.2.1. Một số cơ chế phát quang 16

1.2.2.2. Tính chất phát quang phụ thuộc nhiệt độ 18

1.3. Vật liệu bán dẫn hợp chất 3 nguyên I-III-VI2 cấu trúc nanô 19

Kết luận chương 1 27

Chương 2: Các phương pháp thực nghiệm sử dụng trong luận án 29

2.1. Phương pháp chế tạo chấm lượng tử 29

2.1.1. Động học quá trình tạo mầm 30

2.1.2. Động học quá trình phát triển tinh thể 33

2.1.3. Phương pháp phun nóng (hot-injection) 35

2.1.4. Phương pháp gia nhiệt (heating-up) 36

2.1.5. Phương pháp thuỷ nhiệt (hydrothermal) 37

2.2. Một số phương pháp nghiên cứu vi hình thái và cấu trúc của vật liệu 38

2.2.1. Phương pháp nghiên cứu vi hình thái 38

2.2.1.1. Kính hiển vi điện tử quét (SEM) 38

2.2.1.2. Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) 39

2.2.2. Phương pháp nghiên cứu cấu trúc 40

2.2.2.1. Phương pháp nhiễu xạ tia X 40

2.2.2.2. Phương pháp phổ tán xạ Raman 42

2.3. Một số phương pháp nghiên cứu tính chất quang của vật liệu 44

2.3.1. Phương pháp phổ hấp thụ 44

2.3.2. Phương pháp phổ huỳnh quang 45

2.3.2.1. Phương pháp phổ huỳnh quang dừng 46

2.3.2.2. Phương pháp phổ huỳnh quang phân giải thời gian 47

Kết luận chương 2 48

Chương 3: Công nghệ chế tạo, vi hình thái và cấu trúc của chấm lượng tử

CuInS2, CuIn(Zn)S2 và CuInS2/ZnS

50

3.1. Chấm lượng tử CuInS2 và CuInS2/ZnS cấu trúc lõi/vỏ 50

3.1.1. Chế tạo chấm lượng tử CuInS2 và lõi CuInS2/ vỏ ZnS 50

3.1.1.1. Chế tạo chấm lượng tử CuInS2 lõi bằng phương pháp gia nhiệt 50

3.1.1.2. Chế tạo chấm lượng tử CuInS2 lõi bằng phương pháp

phun nóng 57

3.1.1.3. Chế tạo chấm lượng tử CuInS2 bằng phương pháp thuỷ nhiệt 58

3.1.1.4. Bọc vỏ các chấm lượng tử CuInS2 với ZnS 62

3.1.2. Ảnh vi hình thái và cấu trúc của chấm lượng tử CuInS2 và CuInS2/ZnS 66

3.1.2.1. Ảnh vi hình thái của chấm lượng tử CuInS2 và CuInS2/ZnS 66

3.1.2.2. Cấu trúc của chấm lượng tử CuInS2 và CuInS2/ZnS 68

3.2. Chấm lượng tử bán dẫn hợp chất CuIn(Zn)S2 và CuIn(Zn)S2/ZnS 74

3.2.1. Chế tạo các chấm lượng tử hợp chất CuIn(Zn)S2 và CuIn(Zn)S2/ZnS 74

3.2.1.1. Chế tạo các chấm lượng tử hợp chất CuIn(Zn)S2 lõi 74

3.2.1.2. Bọc vỏ ZnS cho chấm lượng tử hợp chất CuIn(Zn)S2 76

3.2.1.3. Chế tạo các chấm lượng tử CuIn(Zn)S2 và CuIn(Zn)S2/ZnS

trong môi trường nước 76

3.2.2. Ảnh vi hình thái và cấu trúc của chấm lượng tử hợp chất CuIn(Zn)S2 78

3.2.2.1. Ảnh vi hình thái của chấm lượng tử hợp chất CuIn(Zn)S2 78

3.2.2.2. Cấu trúc của chấm lượng tử hợp chất CuIn(Zn)S2 80

3.3. Chấm lượng tử hợp chất CuIn(Al)S2 82

3.3.1. Chế tạo các chấm lượng tử hợp chất CuIn(Al)S2 82

3.3.2. Cấu trúc của các chấm lượng tử hợp chất CuIn(Al)S2 85

Kết luận chương 3 86

Chương 4: Tính chất quang của chấm lượng tử CuInS2 và CuIn(Zn)S2 87

4.1. Hiệu ứng giam giữ lượng tử 88

4.2. Ảnh hưởng của tỉ lệ các tiền chất Cu:In 94

4.3. Thụ động hoá bề mặt chấm lượng tử CuInS2 bằng lớp vật liệu vỏ ZnS 95

4.4. Huỳnh quang do tái hợp điện tử-lỗ trống ở các cặp đôno-axépto 99

4.5. Vai trò của Zn trong sự hình thành và phát triển các chấm lượng tử lõi hợp

chất CuIn(Zn)S2 104

4.6. Vai trò của Al trong sự điều chỉnh năng lượng vùng cấm và năng lượng tái hợp

phát quang trong chấm lượng tử CuIn(Al)S2 110

4.7. Tính chất hấp thụ và huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ của chấm lượng tửCuIn(Zn)S2 112

4.8. Sự truyền năng lượng giữa các chấm lượng tử lõi hợp chất CuIn(Zn)S2 117

Kết luận chương 4 119

KẾT LUẬN 121

DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ 123

TÀI LIỆU THAM KHẢO 124

DANH MỤC CÁC BẢNG

STT Trang

1 Bảng 1.1 Số nguyên tử và năng lượng bề mặt của hạt nano cấu tạo từ

nguyên tử giống nhau 11

2 Bảng 1.2. Tính chất huỳnh quang của các tinh thể nanô thuộc nhóm

II-VI và I-III-VI [32] 24

3 Bảng 3.1 Các mode dao động đặc trưng của CIS (CIS chế tạo trong diesel) 74

4 Bảng 3.2 Các mode dao động đặc trưng của CIS và CIZS (Cu:In:S =

0,8:1:2; In/MPA = 1/70; tạo mầm ở nhiệt độ phòng; thời

gian và nhiệt độ phát triển tinh thể 60 phút, 120 o

C 82

5 Bảng 4.1 Đỉnh hấp thụ, huỳnh quang của chấm lượng tử CIZS chế tạo

trong diesel theo tỉ lệ phân tử Zn:(Cu+In) 106

DANH MỤC HÌNH VẼ

STT Trang

1 Hình 1.1 Cấu trúc vùng năng lượng của tinh thể khối, chấm lượng

tử và phân tử 7

2 Hình 1.2 Mật độ trạng thái của điện tử tự do trong các hệ bán dẫn

khối 3D, giếng lượng tử 2D, dây lượng tử 1D và chấm

lượng tử 0D 8

3 Hình 1.3 Một số chuyển dời điện tử trong hấp thụ quang: 1- Hấp

thụ riêng; 2-Hấp thụ exciton; 3a, 3b- Hấp thụ bời các hạt

tải điện tự do; 4a, 4b- Hấp thụ tạp chất - vùng gần; 4c, 4d￾Hấp thụ tạp chất - vùng xa; 5- Hấp thụ giữa các tạp chất 14

4 Hình 1.4 Các dạng chuyển mức vùng-vùng trong bán dẫn 15

5 Hình 1.5 Các quá trình hấp thụ và phát quang trong tinh thể 17

6 Hình 1.6 Cấu trúc và năng lượng vùng cấm của họ bán dẫn hợp

chất 3 nguyên I-III-VI2 20

7 Hình 1.7 Cấu trúc mạng lập phương của ZnS (a) và mạng tinh thể CuInS2 (b) 21

8 Hình 1.8 Một số hình ảnh ứng dụng của chấm lượng tử CIS trong

đánh dấu huỳnh quang (a), chiếu sáng (b) và trong chế tạo

pin mặt trời (c) 23

9 Hình1.9 Phổ hấp thụ và huỳnh quang của các chấm lượng tử CIS

chế tạo trong dung môi ODE (hình trên) và chấm lượng tử

CIZS được chế tạo theo tỉ lệ Cu:Zn trong dung môi ODE. 25

10 Hình 1.10 Phổ huỳnh quang của chấm lượng tử CIS và CIS/ZnS 26

11 Hình 2.1 Sự thay đổi của nồng độ quá bão hòa theo thời gian t 31

12 Hình 2.2 Một số kết quả mô phỏng của quá trình mọc mầm và phát

triển của các nano tinh thể. Nồng độ hạt và độ quá bão

hòa theo thời gian (a). Sự phát triển theo thời gian của

nồng độ hạt với các độ quá bão hòa khác nhau (b), nhiệt

độ (c), và năng lượng tự do bề mặt (d). Các hình chèn (b-

d) là đồ thị mở rộng trong 3s đầu 32

13 Hình 2.3 Sơ đồ nguyên lý của hiển vi điện tử truyền qua 40

14 Hình 2.4 Hiện tượng nhiễu xạ xảy ra trên các mặt mạng 41

15 Hình 2.5 Mô hình năng lượng và quá trình tán xạ 43

16 Hình 2.6 Sơ đồ khối hệ đo phổ hấp thụ 45

17 Hình 2.7 Sơ đồ khối một hệ đo huỳnh quang dừng 47

18 Hình 2.8 Sơ đồ khối hệ huỳnh quang phân giải thời gian 48

19 Hình 3.1 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuInS2 trong dung môi diesel

bằng phương pháp gia nhiệt 52

20 Hình 3.2 Qúa trình hòa tan các tiền chất phản ứng trong dung môi

diesel ở 210 o

C 55

21 Hình 3.3 Sản phẩm CuInS2 chế tạo ở 210 o

C trong diesel 56

22 Hình 3.4 Mẫu CuInS2 phân tán trong toluen (từ trái sang phải) theo

thời gian phát triển tinh thể 5, 15, 30 và 45 phút ở 210 o

C

(a) và theo nhiệt độ phản ứng ở 210 o

C, 220 o

C, 230 o

C

trong thời gian 15 phút (b) 56

23 Hình 3.5 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuInS2 trong dung môi diesel

bằng phương pháp phun nóng 57

24 Hình 3.6 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuInS2bằng phương pháp

thủy nhiệt trong dung môi nước sử dụng MPA làm chất

hoạt động bề mặt 60

25 Hình 3.7 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuInS2bằng phương pháp

thủy nhiệt trong dung môi nước sử dụng DMAET làm chất

hoạt động bề mặt 61

26 Hình 3.8 Sơ đồ bọc vỏ ZnS cho chấm lượng tử CIS 64

27 Hình 3.9 Sơ đồ bọc vỏ ZnS cho chấm lượng tử CIS bằng phương

pháp thủy nhiệt trong dung môi nước 65

28 Hình 3.10 Ảnh vi hình thái TEM và phân bố kích thước của các chấm

lượng tử CIS chế tạo ở 210o

C trong 15 phút trong diesel 66

29 Hình 3.11 Ảnh vi hình thái TEM của chấm lượng tử CIS chế tạo ở

nhiệt độ 210o

C trong 15 phút sau khi bọc vỏ ZnS ở 200o

C 67

30 Hình 3.12 Ảnh HR-TEM của chấm lượng tử CIS chế tạo trong môi

trường nước 68

31 Hình 3.13 Giản đồ nhiễu xạ tia X của chấm lượng tử CIS, CIS/ZnS

chế tạo trong dung môi diesel ở 210 o

C 69

32 Hình 3.14 Giản đồ nhiễu xạ tia X của chấm lượng tử CIS chế tạo ở

210 - 230 o

C trong 15 phút 70

33 Hình 3.15 Giản đồ nhiễu xạ tia X của chấm lượng tử CIS chế tạo ở

210 o

C trong 15, 30 và 45 phút 71

34 Hình 3.16 Giản đồ nhiễu xạ tia X của chấm lượng tử CIS theo tỉ lệ

Cu:In chế tạo ở 210 o

C trong 15 phút theo tỉ lệ Cu:In 72

35 Hình 3.17 Phổ tán xạ Raman của chấm lượng tử CIS theo tỉ lệ Cu:In

chế tạo ở 210 o

C 73

36 Hình 3.18 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuIn(Zn)S2 trong dung môi diesel 75

37 Hình 3.19 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuIn(Zn)S2 bằng phương

pháp thủy nhiệt trong dung môi nước 77

38 Hình 3.20 Hình ảnh minh họa quá trình chế tạo CuIn(10 %Zn)S2

bằng phương pháp thủy nhiệt 78

39 Hình 3.21 Ảnh vi hình thái TEM của chấm lượng tử CIZS chế tạo ở

nhiệt độ 220 o

C, 30 phút trong diesel 79

40 Hình 3.22 Ảnh HR-TEM của chấm lượng tử CIZS chế tạo trong môi

trường nước 79

41 Hình 3.23 Giản đồ nhiễu xạ tia X của chấm lượng tử CIS (a), CIZS

(b) chế tạo trong môi trường nước 80

42 Hình 3.24 Phổ tán xạ Raman của các chấm lượng tử CIS (a) và

CIZS (b) chế tạo trong dung môi nước 81

43 Hình 3.25 Sơ đồ chế tạo chấm lượng tử CuIn(Al)S2bằng phương

pháp thủy nhiêt trong dung môi nước 83

44 Hình 3.26 Giản đồ nhiễu xạ tia X của chấm lượng tử CuAlS2 chế tạo

trong môi trường nước 85

45 Hình 4.1 Phổ hấp thụ và huỳnh quang của chấm lượng tử CIS chế

tạo ở nhiệt độ 210 o

C (thời gian 15 phút) trong diesel (a)

chế tạo ở nhiệt độ phòng và phát triển tinh thể ở 120 o

C

(60 phút) trong dung môi nước (b) 89

46 Hình 4.2 Phổ hấp thụ và huỳnh quang của chấm lượng tử CIS chế

tạo ở nhiệt độ 210 o

C, thời gian 5,15,30,45 phút trong diesel 91

47 Hình 4.3 Phổ hấp thụ và huỳnh quang của chấm lượng tử CIS chế

tạo ở nhiệt độ 200 – 230 o

C, thời gian 15 phút trong diesel 92

48 Hình 4.4 Phổ hấp thụ và huỳnh quangcủa chấm lượng tử CIS chế

tạo trong theo tỉ lệ Cu:In trong diesel 95

49 Hình 4.5 Phổ huỳnh quang của chấm lượng tử CIS, CIS/ZnS chế tạo

trong dung môi diesel (a) và dung môi nước (b) 97

50 Hình 4.6 Sơ đồ minh họa quá trình trao đổi cation bởi ion Zn2+

trong chấm lượng tử CIS lõi 97

51 Hình 4.7 Sơ đồ mức năng lượng của các trạng thái đôno-axépto

trong bán dẫn khối CIS so với chấm lượng tử. Tái hợp (i)

đôno-axépto (VS-VCu) và (ii) vùng dẫn CB-VCu tương

ứng với chấm lượng tử CIS và CIS/ZnS 98

52 Hình 4.8 Các trạng thái điện tử-lỗ trống và các mức năng lượng

tương ứng trong tinh thể khối CIS 99

53 Hình 4.9 Phổ huỳnh quang phân giải thời gian của chấm lượng tử

CIS chế tạo ở 210 o

C trong thời gian 15 phút 100

54 Hình 4.10 Đỉnh hai thành phần phổ huỳnh quang phân giải thời gian

của chấm lượng tử bán dẫn CIS chế tạo trong dung môi diesel 102

55 Hình 4.11 Phổ huỳnh quang phân giải thời gian của chấm lượng tử

CIS sau khi bọc vỏ ZnS 103

56 Hình 4.12 Phổ hấp thụ chế tạo trong diesel (a) và phổ hấp thụ, huỳnh

quang chế tạo trong nước (b) của chấm lượng tửCIS, CIZS 105

57 Hình 4.13 Sơ đồ tái hợp huỳnh quang của điện tử lỗ trống (a) và điều

chỉnh thành phần trong chấm lượng tử CIS, CIZS 105

58 Hình 4.14 Phổ hấp thụ và huỳnh quang của chấm lượng tử CIZS chế

tạo trong môi trường nước sử dụng DMAET làm chất hoạt

động bề mặt 107

59 Hình 4.15 Phổ hấp thụ của chấm lượng tử CIZS chế tạo ở 210 o

C

theo thời gian 5, 15, 30, 45 phút (a) và theo nhiệt độ từ

200 – 230 o

C trong 30 phút (b) 109

60 Hình 4.16 Phổ hấp thụ và huỳnh quang của các chấm lượng tử CIZS

sau khi được kết tủa chọn lọc 110

61 Hình 4.17 Phổ hấp thụ (a) và huỳnh quang (b) của chấm lượng tử

CuAlxIn1-xS2/ZnS (x: 0,1÷0,7) chế tạo ở nhiệt độ phòng,

phát triển tinh thể ở 120 o

C (60 phút) trong môi trường nước 111

62 Hình 4.18 Phổ hấp thụ (a) và vị trí đỉnh phổhấp thụ (b) theo nhiệt độ

của các chấm lượng tử CIZS trong khoảng 15 – 300K 112

63 Hình 4.19 Phổ huỳnh quang dừng phụ thuộc nhiệt độ của các chấm

lượng tử CIZS trong khoảng từ 15 – 300K 113

64 Hình 4.20 Vị trí đỉnh phổ huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ của hai

thành phần phổ trong chấm lượng tử bán dẫn CIZS. Các

chấm là số liệu từ phân tích phổ huỳnh quang thành hai

thành phần dạng Gauss và đường liền nét là khớp với biểu

thức Varshni 114

65 Hình 4.21 Cường độ tích phân của hai thành phần phổ huỳnh quang

của chấm lượng tử bán dẫn CIZS phụ thuộc nhiệt độ 116

66 Hình 4.22 Phổ hấp thụ của mẫu dung dịch keo(a),phổ huỳnh quang

dừng (kích thích bằng laser 532 nm) của chấm lượng tử

bán dẫn lõi hợp chất CIZS (Zn:(Cu+In)=0,1) ở dạng dung

dịch keo (b) và xếp chặt (c) 117

DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT VÀ KÝ HIỆU

NC Tinh thể nano

QDs Chấm lượng tử bán dẫn

CIS CuInS2

CIZS CuIn(Zn)S2

CIAS CuIn(Al)S2

SEM Hiển vi điện tử quét

TEM Hiển vi điện tử truyền qua

HRTEM Hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao

XRD Nhiễu xạ tia X

TOPO Trioctylphosphine oxide

TOP Trioctylphosphine

DDT Dodecanethiol

CuI Copper(I)iodide

In(Ac)3 Indium(III)acetate

Na2S.9H2O Sodium disulfide

InCl3 Indium (III) chloride

CuCl.2H2O Cooper (I) chloride dehydrate

MPA 3-Mercaptopropionic acid

DMAET 2-(Dimethylamino) ethanethiol hydrochloride

Zn(EX)2 Zinc ethylxanthate

ZnS Zinc sulfide

ODE 1-Octadecane

DMF Dimethylformamide

TO Quang ngang

LO Quang dọc

SO Quang bề mặt

QY Hiệu suất lượng tử