Giáo trình tổng hợp những hướng dẫn cơ bản về Diode chuyển tiếp phần 3 pptx

Giáo trình Linh Kiện Điện Tử

Chương V

TRANSISTOR LƯỠNG CỰC

I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA BJT

ăm 1947

bởi hai nhà bác học W.H.Britain và J.Braden, được c ạo trên cùng một mẫu bán dẫn

Germ nium hay Silicium

ình sau đây mô tả cấu trúc của hai loại transistor lưỡng cực PNP và NPN.

a nhậ vùng phát E được pha đậm (n i lai nhiều), vùng

nền B được pha ít và vùng thu C lại được pha ít hơn nữa. Vùng nền có kích thước rất hẹp

(nhỏ nhất trong 3 vùng bán dẫn), kế đến là vùng phát và vùng thu là vùng rộng nhất.

Transistor NPN có đáp ứng tần istor PNP. Phần sau tập trung khảo sát

trên transistor NPN nhưng đối với transistor PNP, các đặc tính cũng tương tự.

II. TRANSISTOR Ở TRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CỰC.

ết rằng khi pha chất cho (donor) vào thanh bán dẫn tinh khiết, ta được chất bán

dẫn loại N. Các điện tử tự do (còn thừa c ất cho) có mức năng lượng trung bình ở

gần dải dẫn điện (mức năng lượng Ferm nâng lên). Tương tự, nếu chất pha là chất

nhận (acceptor), ta có chất bán dẫn loại P. Các lỗ trống của chất nhận có mức năng lượng

trung bình nằm gần dải hoá trị hơn (mức năng lượng Fermi giảm xuống).

(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR-BJT)

Transistor lưỡng cực gồm có hai mối P-N nối tiếp nhau, được phát minh n

hế t

a .

H

Cực phát

E

Emitter

B Cực nền (Base)

n+ p n￾Cực thu

C

Collecter

E C

B

Transistor PNP

Cực

E

Emitter

B Cực nền (Base)

n

Cực th

C

Collec

p￾u

ter

E C

B

Transistor NPN

Hình 1

phát

p+

T n thấy rằng, ồng độ chất ngoạ

số cao tốt hơn trans

Ta bi

ủa ch

i được

Trang 61 Biên soạn: Trương Văn Tám